nc-Si:H薄膜的结构特征和光电特性

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本工作采用了射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)技术,以SiH4和H_2为反应气体源,在单晶硅、石英和玻璃衬底表面上制备了nc-Si:H薄膜。实验研究了不同H_2稀释比、衬底温度和射频功率条件下对制备的nc-Si:H薄膜结构特征和光电特性的影响。利用alpha-step200表面轮廓仪、DX-2500型X射线衍射仪(XRD)、激光波长为514.532nm的JYT64000型激光拉曼光谱仪、傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)、TU-1901型双光束紫外可见近红外分光光度计和keithley
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