半导体材料低维结构如平面微腔、量子点、量子线、量子阱具有很强的应用前景,所以这些结构的光学性质研究一直是目前国际上的研究热点之一.光荧光谱尤其是时间分辨光谱的测量,,可以使人们对这些结构特性进行深入的研究.作者采用稳态光荧光谱和时间分辨光谱的测量技术,研究了几种Ⅲ-Ⅴ族材料的半导体低维结构的光性性质,特别是半导体平面微腔的光学性质.该论文的结构如下:第一章介绍论文有关的理论背景,重点是半导体平面微腔的基本理论,包括半导体平面微腔光学性质的计算方法-传输矩阵方法,以及极化激元的概念及其动力学;第二章介绍实验技术,重点是有关时间分辨光谱的测量技术;第三章介绍了DBR高低介质层的生长顺序对平面微腔选频的影响;第四章介绍了在低温、非共振激发条件下,激子与腔模的失谐对上下两支腔极化激元衰退时间和上升时间的影响;第五章介绍了在多量子阱中,非共振激发条件下,激子衰退时间对量子阱数目的依赖;第六章介绍了可见光量子点光学性质的研究,重点是时间分辨光谱的研究;第七章介绍了类量子线结构中,激子局域化的特性;最后是结论.