为了丰富和了解"无模板"法在聚吡咯微管/纳米管的应用,该论文系统地研究了该方法的制备条件对聚吡咯形貌影响,优化了合成条件,探讨了聚吡咯微管形成机理,研究了掺杂剂结构对聚吡咯微管结构和性能的影响,同时对兼具电磁的聚吡咯复合物或微管的制备及其性能进行了有益探索.得到如下主要结论:1.采用"无模板"法成功地制备了直径范围为d=80~240nm,室温电导率为10<0>S/cm的聚吡咯微管和纳米管,验证了"无模板"法的可靠性和适用性.2.找到了"无模板"法制备聚吡咯微管的优化条件为:吡咯单体浓度=0.73mol/L,过硫酸铵=0.52 mol/L,[氧化剂]/[单体]=1.67,反应时间=10 hr,反应温度=0~3℃,β-萘磺酸浓度=1.0 mol/L.3.提出了"无模板"法中聚吡咯微管的形成机理是聚吡咯以β-萘磺酸(β-NSA)形成棒状胶束为"类模板",缓慢地生长的机理.通过控制氧化剂滴加速度、无机盐加入和改变掺杂剂萘环上磺酸基团(-SO<,3>H)的数目和位置等实验,进一步验证了上述机理.4.采用二次反应可有效地增大聚吡咯微管的外径,而利用分级方法可实现"无模板"法制备聚吡咯纳米管(d=80~100nm).5.发现掺杂剂萘环上磺酸基团(-SO<,3>H)的数目和位置以及阳离子表面活性剂强烈影响聚吡咯形貌,结构,电学和热稳定性.6.采用十二烷基苯磺酸钠表面活性剂作掺杂剂,成功地制备了兼具电磁的聚吡咯复合物.