【摘 要】
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工作者利用分子束外延在GaAs(100)衬底上生长了多种结构的ZnCdSe/ZnSe应变层量子阱,首先该峰与激子峰之间的能量差随阱宽的减小而增加.另外,实验还发现Y峰的发光特性与激发光
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工作者利用分子束外延在GaAs(100)衬底上生长了多种结构的ZnCdSe/ZnSe应变层量子阱,首先该峰与激子峰之间的能量差随阱宽的减小而增加.另外,实验还发现Y峰的发光特性与激发光能量有关.对ZnCdSe/ZnSe量子阱中的激子以及激子复合体(束缚激子、双激子、荷电激子)的发光特性所作的分析表明,实验中所观察到的Y峰起源于荷电激子的辐射复合.Y峰与X峰之间的能量差即给出荷电激子的束缚能.工作者研究了对称ZnCdSe/ZnSe双量子阱的耦合效应对激子发光特性的影响.发现随着阱间耦合的增强,窄阱与宽阱发光强度之经逐渐减小,同时荷电激子效应也逐渐减弱.工作者还研究了耦合非对称ZnCdSe/ZnSe量子阱中的光子能量上转换(反斯托克斯发光).通过采用不同宽度的量子阱,工作者研究了ZnCdSe/ZnSe单量子阱的共振喇曼散射特性,发现共振喇曼散射信号只在阱宽与激子玻尔半径相当的单量子阱中(5nm和2.5nm)观察到.
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