石墨烯独特的能带结构赋予了它非凡的电输运性质，这也使石墨烯被认为会成为硅的替代品，并受到极大的关注。特别的是，石墨烯具有非常高的迁移率，在室温条件下，和其他的材料相比，石墨烯的迁移率是最高的。具有很高的迁移率，也就意味着用石墨烯制成的电学器件有更小的电阻，并且制成的晶体管具有更快的开关能力。因此，由石墨烯制备的电路，在低消耗和高速方面有更大的应用潜能。然而，石墨烯的迁移率会受到各类散射的影响，比如杂质和晶体缺陷都会降低石墨烯的迁移率。晶体缺陷对石墨烯的迁移率的影响是非常大的，由于这些缺陷可以反向散射电子。在制作电子器件和集成电路的过程中，需要很多步骤的光刻曝光等工艺流程。经研究发现，这些工艺过程可能会导致对石墨烯引入缺陷，进而使石墨烯的迁移率降低。为了充分利用石墨烯的高迁移率，不仅要发展制备高质量石墨烯的方法，也需要开发光刻曝光工艺，以保持其原有的品质。对于开发新的曝光工艺而避免损伤是一件很难的事情，我们转而考虑研究出能够修复有缺陷石墨烯的方法。目前，针对修复氧化石墨烯，已经有了些相关研究，不过，那主要是针对的去氧化的过程，例如，去除一些官能团。要研究如何将石墨烯中的空位缺陷进行修复，我们需要对定量明确的空位缺陷进行修复。等离子体轰击已被广泛用来研究对石墨烯引入缺陷，并且已被证实，这种损伤是一种空位缺陷。尽管人们对石墨中存在的这种损伤进行了许多的修复研究，但这种缺陷由于层间的键的构成是很稳定的，因此，有时是很难进行修复的。　　在我们的工作中，我们首先利用氩等离子体轰击对石墨烯引入空位缺陷。然后通过热退火来研究修复效果。通过拉曼光谱，X射线光电子能谱，高分辨透射电镜，和低温电学测量来对其进行表征。我们发现，这些空位缺陷可以通过简单的热退火过程而得以修复。我们可以把这种自修复的过程解释为，被氩等离子体轰击的碳原子吸附在空位缺陷的周围，热处理作用使这些碳原子重新恢复到空位的位置。但随着损伤程度的加深，自我修复将不那么有效。