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该文报道用了热丝辅助射频化学汽相沉积法,以氨气和硼烷和氢气为反应气体,在硅、金刚石和镍衬底上生长立方氮化硼(c-BN)薄膜,利用X-射线、红外吸收谱、X光电子能谱和扫描电镜对薄膜的物相和表面形貌进行了分析和观察.系统地研究了c-BN的生长条件和生长机理.
立方氮化硼薄膜的生长特性、粘附性及应力研究
【摘 要】
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该文报道用了热丝辅助射频化学汽相沉积法,以氨气和硼烷和氢气为反应气体,在硅、金刚石和镍衬底上生长立方氮化硼(c-BN)薄膜,利用X-射线、红外吸收谱、X光电子能谱和扫描电镜
【机 构】
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兰州大学
【出 处】
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兰州大学
【发表日期】
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1998年期
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