准一维纳米材料有序阵列的模板合成与表征

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通过阳极腐蚀制备的多空氧化铝模板具有孔径分布均匀,孔密度高,孔洞和孔洞之间不连通,取向一致,可根据需要调控孔径的大小,而且制备的工艺容易掌握,成品率较高等特点。近年来,在纳米有序阵列组装和研究中备受关注。本文将采用二次阳极氧化法制备高度有序的氧化铝模板。在此基础上,进行组装纳米线阵列的研究,取得的主要研究成果如下:(1)高度有序氧化铝模板的制备。高度有序的纳米孔洞模板是制备纳米线阵列的基础。本文首先利用0.4mol/L的草酸溶液和40V直流电源,采用两步氧化法获得了高质量的多孔氧化铝模板。扫描电子显微镜对模板表征的结果表明:模板的孔洞均匀、高度有序,其典型的孔径值为40-70nm,孔间距在110nm左右。(2)采用全波整流电化学沉积的方法制备磁性纳米线有序阵列。采用全波整流电化学沉积的方法在模板的纳米孔洞中生长了大面积的铁、钴、镍磁性纳米线阵列,用EDS、SEM、TEM对样品进行了表征,实验结果表明通过全波整流电沉积方法生长的纳米线是连续的,直径约为60 nm左右,与所用模板孔径相吻合。通过控制沉积时间可以调节纳米线长度。(3)采用全波整流电化学沉积的方法成功制备了锌有序纳米线阵列,并在锌纳米线阵列的基础上经高温氧化制得ZnO纳米线阵列。用EDS、XRD对锌有序纳米阵列进行了表征;用XRD、SEM、TEM对ZnO有序纳米线阵列进了表征;结果表明Zn和ZnO都是六方纤锌矿结构,纳米线直径约为60 nm左右。ZnO纳米线阵列的光致发光实验结果表明:ZnO光致发光谱有三个发射峰,一个在380 nm附近,为紫外发光峰;一个在470 nm附近,为蓝色发光峰;第三个在500nm附近为绿色发光峰。峰值380nm的发光机制是ZnO的带边发射,而470nm和500nm两个发射峰的出现可能是由于ZnO缺陷造成的。
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