【摘 要】
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该论文中通过改变硅衬底上介质膜的种类和组分,或改变镶嵌的介质中半导体纳米粒子的种类及硅衬底的导电类型,或利用纳米尺寸硅层/纳米尺寸介质膜层超晶格制成了几种新型硅基
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该论文中通过改变硅衬底上介质膜的种类和组分,或改变镶嵌的介质中半导体纳米粒子的种类及硅衬底的导电类型,或利用纳米尺寸硅层/纳米尺寸介质膜层超晶格制成了几种新型硅基纳米半导体电致发光结构.并通过研究外加偏压、热退火等因素对它们的电致发光的影响,对其发光特性和发光机制进行了系统地探讨,取得了一些新的成果,其中较为重要的有以下几个方面:1.以SiO<,2>Si和SiO<,2>Ge为复合靶采用射频磁控溅法制备了超薄纳米硅镶嵌的氧化硅膜和超薄纳米锗镶嵌的氧化硅膜并比较研究了Au/超薄纳米硅镶嵌的氧化硅膜/p-Si和Au/超薄纳米锗镶嵌的氧化硅膜/p-Si结构的电致发光(这里的Au均指厚度约20-30nm的半透明金膜,以后同;2.发现Au/富硅二氧化硅膜/p-Si和Au/富硅二氧化硅膜/n-Si结构分别仅在正向和反向偏压下发光.实验结果显示这两种结构在发光过程中载流子的输运方式是不同的;分别利用电子束回顾共旋化学气相沉积、射频磁控溅射、和电子束回顾共振等离子体直接氮化三种方法在p-Si衬底上淀积了超薄氮氧化硅膜并测量到Au/氮氧化硅膜/p-Si结构的电致发光;4.首次用射频控溅射方法制备了Au/具有三个周期的(纳米硅/纳米氮氧化硅)超晶格/p-Si结构并对比研究了Au/(纳米硅/纳米氮氧化硅)超晶格/p-Si结构和Au/超薄氮氧化硅膜/p-Si结构的电致发光.
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