钨以其熔点高、热导率高、溅射产额低和氢的同位素滞留低等特点，是面向等离子体材料的首要候选。钨在国际热核聚变实验堆(International ThermalNuclear Experimental Reactor，缩写为ITER)的TOKAMAK装置中，被考虑用来制作偏滤器的面向等离子体组件。　　在TOKAMAK运行过程中钨要面临两方面问题，一是要经受第Ⅰ类边缘局域模(ELMs)带来的瞬态热负载冲击，二是D-T聚变中产生大量的He离子辐照。热负载冲击会导致材料表面出现熔融、烧蚀和裂纹等损伤，不仅会降低材料使用寿命，产生的灰尘更会对芯部等离子体造成影响;钨在受He辐照后表面会产生He泡等疏松结构，还会降低钨的抗热负载性能。因此钨在He和热负载共同作用下的性能研究具有重要意义。　　针对这些问题，本文主要分为两部分工作:　　利用强脉冲离子束（Intense pulsed ion beam，缩写为IPIB）装置模拟ITER中托卡马克装置中W材料会受到的瞬态热负载。由于IPIB有强脉冲仪器的通病:参数不容易控制、束斑截面上存在不均匀的能量分布，本文中制作了量热器和阵列量热器来实现对IPIB束流的诊断。　　用ECR离子源向钨中注入He，再结合IPIB和EMS-60(Electron-beam Materialtesting Scenario)研究了注He纯钨对瞬态热负载的响应。对材料表面的辐照损伤的进行了评估分析。　　论文中通过对不同的He注量下钨的抗热负载性能的比较，揭示了He的存在对钨在热负载下损伤行为的影响。