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随着自旋电子学的发展,人们发现金属（Fe、Co、Ni、Mn等）和半导体（Si、GaAs、Ge等）的复合体系具有许多有趣的性质,如面内各向异性、增强的霍尔系数、低温下负的电阻温度系数等,因此,相关研究越来越受到人们的关注。Fe、Ge的复合体系的霍尔灵敏度可以达到82 V/AT,在霍尔传感器方面有着很大的应用前景,但这种霍尔效应增强的机制还不十分清楚。本论文采用磁控溅射交替沉积的方法法制备了Fe/Ge多层膜和Fe/Ge间断膜,并对多层膜进行了退火处理,对样品的微观结构、磁性质、电阻率、磁电阻和霍尔电阻等进行了系统研究。结构分析表明,Fe/Ge多层膜是由多晶态的Fe和非晶态的Ge构成的周期性调制结构。室温下,Fe/Ge多层膜显示了单轴磁各向异性,最大单轴磁各向异性常数Ku=2.27×103 J/m3。室温下,所有的Fe/Ge多层膜的电阻温度系数为正值,但低温下,由于弱局域效应,电阻温度系数发生了从正到负的转变。在Fe/Ge多层膜中观察到了反常霍尔效应,而且霍尔灵敏度KH不随温度变化,最大霍尔系数Rs=1.8×10-7 m/T,比块体Fe的霍尔系数大3个量级。随着Fe的含量的增加,Fe/Ge间断膜中的Fe逐渐晶化,而Ge始终是非晶态。磁性测量表明Fe/Ge间断膜存在着Fe颗粒之间的反铁磁耦合,最高饱和磁化强度为1400 emu/cc。当Fe的含量小于0.6时,样品表现为隧穿导电,当Fe的含量增大时,样品转变为金属导电。电阻测量发现,随着Fe含量的增加,饱和霍尔电阻随温度的变化减小,最大霍尔系数Rs=9.6×10-8 m/T。Fe/Ge多层膜经过退火处理后,Fe、Ge发生合金化,磁性降低,样品仍表现为金属导电,但反常霍尔效应消失,而且随温度的升高,霍尔系数发生从负到正的转变。