磁控溅射法制备Si掺杂ZnO薄膜及Al<,2>O<,3>包埋Si纳米晶薄膜

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【摘要】

：

作为一种重要的微电子薄膜材料,Si已在超大规模集成电路(VLSI)、太阳电池、液晶显示、记忆存储以及特种半导体器件中都获得了成功的应用。近年,随着各类纳米薄膜材料与纳米量子器件的兴起,具有纳米晶粒多晶Si薄膜的结构制备与电学特性的研究也引起了广泛的关注。氧化锌(ZnO)是Ⅱ-Ⅵ族直接宽带隙半导体(室温带隙3.37eV),因为具有较高的激子束缚能(60meV),使得它成为理想的下一代紫外发光二极管和

【作者】

：

范科技

【机构】

：

东北师范大学

【发表日期】

：

2009年05期

【关键词】

：

磁控溅射 Si纳米晶 ZnO Al2O3

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