铜氧化物高温超导体包含了丰富而奇异的物理现象，诸如赝能隙、电荷有序等。对这些物理现象的认识和理解，将会对强关联电子体系的研究产生重要的推动作用。迄今为止发现的所有系列的铜氧化物高温超导体均属于掺杂超导体，它们都是在具有长程反铁磁绝缘母体基础上，通过部分化学掺杂或改变氧含量引入空穴型或电子型载流子到CuO2面上而得到的。因此，研究掺杂或元素替代，这对于铜氧化物体系来说，在研究其结构和超导电性方面具有深远的意义。本文在研究掺杂的铜氧化物体系结构和超导电性的基础上，在反铁磁背景和平均场近似下，用三带Hubbard模型对高温铜氧化物超导体中的自旋玻璃态进行研究分析，先考虑无掺杂体系，然后再加入空穴掺杂，研究加入掺杂后体系的状态。主要对空穴掺杂的强关联电子体系中可能形成的自旋玻璃态电子结构进行研究，采用铜氧化物的强关联电子三带Hubbard模型，并提出了一个推广的平均场方法，以便研究掺杂情形的铜氧化物体系中的自旋玻璃态的形成和电子结构。该方法假设在半满的反铁磁长程序态上掺入空穴将引起某些格位上的自旋反转，从而破坏反铁磁长程序。计算结果能够说明，在不同的掺杂情况下，铜氧化物超导体的态密度图像会发生不同的变化，从而引起铜氧化物超导电性的变化，这种结果能够说明掺杂确实会引起铜氧化物超导体的超导电性发生变化，同时还发现在低掺杂情况下某些铜氧化物中有弱铁磁畴形成的实验现象。按照这种方法计算了态密度以及角分辨光电子谱，其结果和实验定性一致。本文主要内容概括如下：(1)介绍了高温超导体的发展以及强关联电子系统和自旋玻璃态的研究概况。(2)叙述了三带Hubbard模型、强关联电子系统、高温铜氧化物超导体和自旋玻璃态的一些相关的原理和研究。(3)针对铜氧化物的强关联电子三带Hubbard模型，在平均场近似下研究体系未掺杂时的不同背景下的态密度和自旋玻璃态的形成。(4)研究了三带Hubbard模型经平均场近似处理的数值计算结果及其讨论。