作为电力电子领域新一代的主流产品,IGBT的应用涉及到国民经济的各个部门,是节约能源,发展低碳经济的关键支撑技术之一,它具有输入阻抗高、导通压降低、峰值电流容量大等优点。其驱动与保护电路作为IGBT应用中的关键技术之一,是保证IGBT高效、可靠运行的必要条件,所以设计一款性能优异的IGBT驱动保护电路是十分必要的。本课题基于1μm 600 V BCD工艺平台,研究设计了一种用于600 V的IGBT驱动保护电路,电路采用半桥结构,可广泛应用于PWM电机控制、DC-AC逆变等领域中。电路设计具体指标包括:芯片高低端电源输入为14 V到18 V,高端最高浮动偏置电压为600 V,能够提供峰值为1 A和-2 A的栅极驱动电流,同时芯片集成了欠压锁定,过温保护等功能,能够兼容3.3 V及5 V TTL逻辑控制信号。在电路设计过程中,首先通过对常见的IGBT驱动电路的拓扑结构、驱动原理与应用的分析,确定了电路的总体结构与设计性能指标;然后开始对电路中的各子模块电路进行分析设计,本文详细地对以下模块:输入逻辑控制电路、窄脉宽拓展电路、5 V电源转换电路、电流基准电路及欠压锁定电路进行了原理分析与设计,利用仿真软件Hspice对电路中各个子电路模块进行了仿真分析与验证,并根据仿真结果优化电路性能。最后,作者简要介绍了驱动电路中其余子模块电路的功能与仿真结果,根据各子电路的功能,详细地分析了本课题驱动保护电路的工作原理,同时利用仿真软件Hspice对设计的IGBT驱动电路低端控制驱动电路进行了仿真分析,验证电路指标。