【摘 要】
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作为1um波段应用的最广泛的调Q开关之一,Cr4+:YAG晶体具有较高的热导率和激光损伤阈值。本论文采用中频感应提拉法生长双掺钙镁离子的Cr4+:YAG晶体,通过温场系统、生长工艺参
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作为1um波段应用的最广泛的调Q开关之一,Cr4+:YAG晶体具有较高的热导率和激光损伤阈值。本论文采用中频感应提拉法生长双掺钙镁离子的Cr4+:YAG晶体,通过温场系统、生长工艺参数的优化,克服了晶体大侧心的内部缺陷,并且通过改用自动化生长设备,晶体直径达到50mm,且外形控制理想；通过对Cr4+:YAG晶体的内部缺陷(大侧心、针状物等)及其吸收系数的表征,探讨了Cr4+:YAG晶体制备工艺参数对其质量和性能的影响。通过对Cr、Ca、Mg离子掺杂浓度和比例的优化和大气退火工艺,减小了晶体纵向和径向吸收系数的梯度。生长试验表明：Cr4+:YAG晶体中的内部缺陷和吸收系数不稳定同温场的温度梯度和掺杂比例等因素有关。
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