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本论文针对界面耦合对两层膜体系的相变行为的影响，分数厚度的磁性薄膜的性质等理论问题，或发展新的计算方法，或应用蒙特卡罗模拟，得到了以下结果。为了实验对居里相变和自旋重定向相变展开研究，搭建了磁化率测量设备，并作了初步的应用。
1.研究了界面耦合对两层膜体系的相变行为的影响。提出了一种新的基于平均场近似的计算方法，从而可以考虑结构对材料的影响，并且得到了铁磁耦合的两层膜体系的分层磁性，证明高Tc薄膜的Tc会由于界面耦合而被提高。发现bcc结构受界面耦合的影响最为强烈，次之为fcc，影响最小的是sc。界面耦合在高Tc膜和低Tc膜材料中的不同衰减速度也得到了充分的讨论。
2.分数厚度的磁性薄膜的性质。结果如下：原子所构成的岛的大小是薄膜磁性的决定性因素，而不是岛的位置。具有单一的相变行为的薄膜的所有的岛的大小应该相同。当岛很大时，如64*64，体系中可以观察到明显的两个相变的过程。当岛很小时，如1*1，1.25ML的薄膜的居里温度等于1ML的居里温度。当岛由大变小时，薄膜的居里温度先升高再降低。要构成有效的有限尺寸分析，在改变晶格大小的同时必须保持岛的大小不变而改变岛的数日。
3.原位的磁化率测量设备的搭建和初步应用。本文搭建了一套大气中和原位的磁化率测量装置，并优化了测量的各种参数，使它具有对单层薄膜的灵敏度，并把这套装置应用在自旋重定向相变和居里相变的研究上。