在微电子器件领域,半导体纳米线因独特的性质而备受关注。尤其是随着摩尔定律应用瓶颈的到来,利用一维半导体纳米线作为器件的基本构筑单元具有重要的研究意义。在众多半导体材料中,In₂O₃因具有合适的能带宽度、较高的电子迁移率、光学透明和气敏特性等性质而被广泛应用。基于此,我们利用In₂0₃做了如下工作:（1）利用化学气相沉积法,制备出了 In₂O₃纳米线并对其进行了 SEM、XRD表征。同时,通过控制反应时的温度、气体流量、衬底位置以及原料的比例,我们还制备出了其他几种In₂O₃的微纳结构,如八面体、方块、三角片、层状塔结构等,并对其生长机理进行了解释。（2）利用离子注入技术,对In₂O₃纳米线晶体管的介电层进行N离子注入后,有效地降低了晶体管的阈值电压。为了解释该机理,我们又在同样条件下,对衬底注入化学惰性的Ar离子,并进行后续退火以及XPS、KPFM表征。最终证明阈值电压降低与注入导致的电荷陷阱有关。（3）利用In₂O₃纳米线作为沟道层,石墨烯作为陷阱层,制备了基于石墨烯的底栅式闪存。该器件的存储窗口为5.83V,开关比高达10⁴。与基于金颗粒作为陷阱的器件相比,该器件的动态编程擦除特性要好一些。