激子局域化是半导体超晶格量子阱中的一个普遍现象.一方面是晶体生长方向上,由于引入大的势场调制,使得激子在阱层材料中发生强局域化效应;另一方面,由于外延生长技术的不完善,异质结界面存在着起伏,这在低温下可以成为激子的局域化中心来限制激子的横向运动.该文对这些现象作了深入的研究,并得到了一些有意义的结果.系统地研究了GaAs/AlGaAs窄量子阱中的激子局域化特性.系统地研究了InAs平均厚度从1/12~1单层(ML)的InAs/GaAs亚单层和单层结构的光学性质.详细研究了生长停顿后的GaAs/AlGaAs量子阱界面特性.用变温光荧光谱研究了GaAs(311)而上生长的GaAs/AlGaAs波纹超晶格中的激子局域化效应.研究了GaAs/AlGaAs非对称双阱结构中的一些怪异现象,即在势垒厚度比较大的情况下,两量子阱之间还存在着一些光学关联,具体表现为量子阱PLE谱中出现其相邻量子阱的激子共振结构.研究人员提出了一个非传统的不包含载流子输运的模型来解释这种现象,认为这是由布居于其中一阱的载流子影响其相邻阱的光学跃迁过程造成的.为了验证研究人员的模型,设计了一个pump-probe实验,并得到了一些支持研究人员模型的结果.同时,对实验中存在的问题和尚待解决的困难作了一定的分析.