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二氧化硅(SiO_2)薄膜具有很多优异的性质,如电绝缘特性和耐腐蚀性。由于需求的不同,人们已将SiO_2薄膜作为金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的栅极氧化层、器件的保护层以及电容器的绝缘层等。SiO_2薄膜的性能与制备工艺有着很大的关系,常用的制备SiO_2薄膜工艺有化学气相沉积法、物理气相沉积法和热氧化法。本论文通过自主设计的半导体加工装置(ESPD),采用电子回旋共振氢氧混合等离子体低温氧化工艺在衬底Si(100)上制备SiO_2薄膜。在实验过程中,该装置通过微波电子回旋共振(ECR