导电银浆料因其优异的使用性能而在电子浆料行业获得极其广泛的应用,在电子元器件制造领域占有重要地位。但是银的厚/薄膜电子元器件在高温、高压、高湿度环境下使用时,会被空气中的O2或含S的气体(如H2S和SO2)氧化,缩短使用寿命,严重限制其使用范围,因此需要对导电银浆料进行改性,以提高其抗氧化能力。本文选择微米银粉作为金属导电相,并从乙酰丙酮铟、锡铅合金粉、微米氧化锡粉、锡粉、铟粉这五种添加剂中,选出锡粉和铟粉作为提高导电银浆料抗氧化性的添加成分,制备出一种抗氧化的改性导电银浆料。运用扫描电镜(SEM)、紫外可见近红外分光光度(UV-Vis)、数字式四探针测试仪和探针轮廓仪分析了厚膜氧化前后的微观形貌、漫反射率、方块电阻、表面粗糙度及膜层厚度的变化规律。结果表明:烧结温度为750℃时厚膜表面的光电性能达到最佳,表面致密度较高,漫反射率较大,表面粗糙度均在1-2μm,厚度在4-8μm,方块电阻在5-8mΩ/□。通过正交实验法得到抗氧化导电银浆料的最佳配方组成为Sn粉0.1%,In粉1%-2%,Ag粉75%,玻璃粉2%,其余均为有机载体相。在最佳配方组成及最佳烧结温度下,所得厚膜样品在室温大气环境下放置90天后仍表现出较好的光、电、化学性能。此外,为了提高在具有不规则表面的工件上预制浆料层的均匀性,本研究还对原有的激光微熔覆设备进行了改进。初步研究表明,银导电厚膜层的氧化是从晶界/孔洞等缺陷处开始,缺陷处的金相界面的烧结残余应力和界面能较大,易吸附环境中的O2或含S气体,Sn、In被其氧化后形成的氧/硫化物以絮状物的形态分散在厚膜表面,使样品表面失去金属光泽,漫反射率降低,粗糙度增加,导电性能大大降低;并用已有国内外厚膜样品表面氧化的分析研究,验证了氧化过程机理的正确性。热力学分析和XRD结果显示,Sn、In氧化物/硫化物的生成反应的Gibbs自由能ΔrG~θm的值都比银的小,所以他们比银更易发生自发氧化反应,从而延缓银厚膜的氧化,提高了银厚膜的抗氧化能力。