本论文利用含时微扰和格林函数方法研究四中心原子铜-镧系稀土单分子磁体[CuⅡLLnⅢ(hfac)2]2在交变外场下的磁化性质。论文中通过计算单分子磁体[CuⅡLTbⅢ（hfac)2]2的基态寿命随温度的变化关系,验证了Arrhenius定律在单分子磁体磁化性质中的适应性，同时也验证了势垒隧穿模型对研究单分子磁体交变磁化性质的适用性;通过计算单分子磁体[CuⅡLTbⅢ(hfac)2]2的复数磁化率，讨论了外场频率与系统温度对分子磁体的复磁化率实部、虚部的影响，并由此证明了热助隧穿过程对低温下单分子磁体驰豫性质起主要贡献。此外文中还给出了有限温度下交变磁场下单分子磁体响应过程中的能量修正与寿命修正的具体表达式,给出了各向异性参数与分子的声子的振动模式对系统的寿命与频率响应之间的关系,指出了[CuⅡLTbⅢ(hfac)2]2分子磁体在低温下反常磁化响应行为与自旋-声子耦合导致的能量修正有关，并从理论上给出了研究单分子磁体的磁化性质的一条更简便直观的途径。