【摘 要】
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浅沟隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。本文研究了0.18微米浅沟槽隔离技术（STI）中的刻蚀工艺。本文通过对各种工艺参数的选择,解决了浅沟槽隔离（STI）刻蚀
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浅沟隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。本文研究了0.18微米浅沟槽隔离技术（STI）中的刻蚀工艺。本文通过对各种工艺参数的选择,解决了浅沟槽隔离（STI）刻蚀深度,刻蚀角度以及刻蚀均一性问题。本文通过改变刻蚀速率来控制浅沟槽隔离（STI）的刻蚀深度并通过增加O2的含量解决了刻蚀角度过于垂直的问题。本文在解决和优化浅沟道隔离的工艺难点后,获得的隔离结构的性能完全达到了0.18um逻辑器件技术大规模量产的要求。
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