Bi₂(Zn_1／3Nb_2／3)₂O₇（β-BZN）是一种单斜焦绿石结构的介电材料，具有较低的烧结温度和优良的介电性能等特点，而成为一种很有发展前途的低温烧结微波介质材料，但其介电性能、损耗机理还有待进一步研究。本论文采用固相反应法制备Bi₂(Zn_1／3Nb_2／3)₂O₇陶瓷，研究A位、B位、A、B位离子同时替代产生的氧空位对β-BZN结构及介电性能的影响，尤其是对介电弛豫现象的影响，并在此基础上，对焦绿石的结构变化及改性机理作了理论上的分析。（1）A位Nd、Dy、Er替代的陶瓷样品烧结温度为1000℃，Y、Li替代的陶瓷样品烧结温度为960℃，ε_r=70～90、tanδ=6.3×10^-4～6．8×10^-3、α_c=186～359ppm；A位Li的替代使样品介电损耗弛豫峰峰值温度随着替代量由0．025增加到0．1向高温方向移动，同时伴随峰形宽化。（2）B位Zr、Ti替代的陶瓷样品烧结温度为1000℃，B位Sn替代的陶瓷样品烧结温度为1020℃，ε_r=70～90、tanδ=8．1×10^-4～2．9×10^-2、α_c=-240～448ppm；B位Sn的替代使样品介电常数弛豫峰峰值温度随着替代量由0．1增加到0．16向低温方向移动。（3）A、B位Y、Sn共同替代的陶瓷样品烧结温度为1000℃，Li、Sn共同替代的陶瓷样品烧结温度为960℃，ε_r=74～90、tanδ=7．7×10^-3～2．3×10^-2、α_c=117～377ppm；A、B位Li、Sn共同替代使样品介电损耗弛豫峰峰值温度随着替代量增加向高温方向移动。