本文主要进行晶体管建模技术的研究,其主要目的是建立GaAsFET大信号非线性电路模型,给出一个计算机非线性仿真模拟的平台。论文首先从传统的非线性的表征方法入手,对传统的非线性的表征方法进行了归纳总结。在对传统的非线性的表征方法进行总结后,论文提出一种新的非线性表征方法—非线性散射函数,并对其性质进行了一些试探性的讨论。在论文里还讨论了GaAsFET小信号模型参数的提取,对已有的建模方法进行了学习和研究,讨论了优化过程中目标函数的选取等问题,提出了一种复杂电路S参数的计算方法,成功地建立了GaAsFET的小信号模型。在小信号模型的基础上,讨论了晶体管大信号非线性建模。通过脉冲电流法测量GaAsFET的I-V特性,完成GaAsFET大信号非线性模型的建立。在建模的过程中,对原有的电流源模型进行了修正,在不增加高次项的基础得到一种新的修正模型,提高了拟合精度.这种新的模型能够更准确的描述晶体管的大信号特性。对于晶体管大信号的非线性分析有很大的作用和帮助。下一步我们要对此模型用谐波平衡进行大信号非线性分析,计算由于非线性产生的波成分,最后来验证非线性散射函数的理论。