超深亚微米n沟道Si-MOSFET栅介质击穿的蒙特卡罗模拟

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目前,MOSFET的沟道长度已经缩短到超深亚微米级.为了将新的物理效应考虑进去,必须完善和改进MOSFET的数值模型.本文的重点是对栅介质的击穿特性进行模拟.本论文采用了蒙特卡罗方法,通过改变Si-MOSFET上的栅电压、源电压、漏电压和栅氧化层厚度,分析和求解栅介质下载流子浓度、载流子迁移率、纵向电场、沟道内电流密度、雪崩产生密度,以及隧穿电流的变化.在用有限差分法求解有限高度栅氧化层势垒边界条件下的薛定谔方程和泊松方程时,考虑了量子效应、短沟道效应等因素的影响.模拟结果显示,对于超深亚微米MOSFET,随着栅氧化层的变薄,电子在半导体Si、SiO<,2>层和多晶硅栅极之间的隧穿过程更加显著.并且,随着尺寸的缩小,栅氧化层的势垒高度、栅氧化层厚度、掺杂浓度及沟道内电子浓度等参数直接影响栅介质特性的退化.本论文模拟得到的超深亚微米n沟道Si-MOSFET栅介质的击穿参数,为建立和完善应用于超大规模集成电路(VLSI)的小尺寸MOSFET的模型提供了一定的理论依据.
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