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发光二极管(Light Emitting Diode,LED)作为绿色、节能、长寿的新一代照明和显示器件中的光源,将在未来几年内大规模取代传统光源,已成为国内外学术界和产业界的共识。随着半导体照明技术的发展和推广应用,白光LED的研究已经引起各国科研机构的高度重视。由于荧光材料是白光LED的关键材料之一,因此开展白光LED专用荧光材料的研究,无疑具有重要现实意义。本文分别采用高分子网络凝胶法、改进的溶胶-凝胶法及淀粉燃烧法等湿化学方法制备了铈掺杂钇铝石榴石系列、碱金属偏钒酸盐系列和稀土离子掺杂的锶铈氧化物系列荧光材料,并着重对其发光性能进行了表征,探讨了其发光机理。(1)制备了能够与GaN基蓝光LED芯片匹配的Y2.94-xCe0.06GdxAl5O12和Y2.94-xCe0.06PrxAl5O12荧光材料。Gd3+的掺杂通过使Y2.94-xCe0.06GdxAl5O12中Ce3+的光谱红移来改善白光质量,其最佳掺杂量x为0.6；Pr3+的掺杂通过在Y2.94-xCe0.06PrxAl5O12中Ce3+黄光发射带上增加红色线发射以改善白光质量,其最佳掺杂量x为0.01。(2)采用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)对纳米YAG:Ce,Gd进行了表面修饰。PVP添加浓度为1.37wt%时,光致发光强度增强约1.83倍。究其原因不仅归因于PVP的空间位阻效应减少了粉体颗粒间的团聚,而且得益于PVP对纳米颗粒的表面钝化。(3)制备了能够与紫外或近紫外LED芯片相匹配的具有宽激发(吸收)与宽发射带的碱金属偏钒酸盐(AV03),以单一基质实现了白光。理论计算及实验研究结果表明AV03的发光均为V04四面体中O2-的2p轨道到V5+的3d空轨道的单电子电荷转移跃迁所致。(4)系统地研究了丙三醇、聚乙二醇(PEG). PVP表面修饰CsVO3的发光性能之后,发现添加2.10wt%的PVP或PEG制备CsVO3可以分别提高其发光强度2.53倍、3.18倍。通过研究P(S-MMA)聚合物和Si02与CsVO3复合后对发光性能的影响表明CsVO3/P(S-MMA)荧光微球避免了CsVO3荧光粉的团聚,其复合荧光薄膜扩展了CsVO3在柔性发光与显示器件中的应用；铯硅质量比为1：6的CsVO3/SiO2在大气环境下存放12个月后荧光发射强度仅衰减了2%,较优的光学稳定性有利于其在白光LED中的应用。(5)选取Sm3+、Dy3+和Eu3+作为激活离子,采用单、双掺杂的方式制备出能够与紫外或近紫外LED芯片匹配的单一基质、颜色可调的Sr2CeO4系列荧光材料。理论计算及实验研究结果表明Sr1.964Eu0.03Dy0.006CeO4白光材料光色特性较优,相应色坐标为(0.391,0.372),相关色温为3647K。 Sr2CeO4的光致发光来源于晶体结构中两种不同的Ce4+-O2-电荷转移带跃迁。Eu3+单掺杂Sr2Ce04的光致发光主要为能量传递机理,特别地,Eu3+-Dy3+双掺杂Sr2Ce04的发光不仅存在Sr2Ce04与Eu3+和Dy3+、Eu3+和Dy3+之间的能量传递过程,还存在Sr2Ce04晶体中缺陷的影响。