【摘 要】
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对Mn位进行掺杂必将对体系的电磁性产生有效的影响而有利于深入研究该类材料的内在物理机制.基于这个原因及寻找好的磁电阻材料的目的,作者们系统地研究Mn位掺杂对体系电磁性
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对Mn位进行掺杂必将对体系的电磁性产生有效的影响而有利于深入研究该类材料的内在物理机制.基于这个原因及寻找好的磁电阻材料的目的,作者们系统地研究Mn位掺杂对体系电磁性能的影响,具体总结如下:综述了锰氧化物CMR材料的晶体结构、电子结构、磁性结构和相关机理.阐述了在该类材料中Mn离子的作用和Mn位掺杂效应的有关研究成果.系统地研究了掺杂Fe对La<,0.67>Sr<,0.33>Mn<,1-x>Fe<,x>O<,3>体系的结构及电磁特性影响.随掺杂Fe浓度增加,Tc、谱线线宽及Landéɡ因子降低,电阻率增大,晶格常数基本上不变.系统地研究了掺杂Cu对LaMn<,1-x>Cu<,x>O<,y>(0≤x≤0.4)体系中结构和电磁性质的影响.掺杂Cu减小晶格常数,降低Tc,增大顺磁-铁磁转变的温度区域,当x=0.3时,体系出现类自旋玻璃态,当x=0.4时,体系本质上呈顺磁态.系统地研究了掺杂Cu对层状La<,1.2>Ca<,1.8>Mn<,2-x>Cu<,x>O<,7>(0.1≤x≤0.1)体系的结构、磁性及输运性质的影响.掺杂Cu使体系的晶格常数和磁化强度减小,电阻率增大.
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