近年来随着声表面波器件(SAW)的广泛应用和发展,对大尺寸晶体的质量提出了更高的要求.锗酸铋(Bi<,12>GeO<,20>,简称BGO)晶体是研制SAW器件的关键材料之一,由于目前存在的色带、色芯缺陷对器件性能有着严重影响.因此,分析研究BGO晶体缺陷及其微观机理,有利于研制性能优良的晶体和高可靠性的SAW器件.该文采用EDS、WDS、XRD、SEM、TEM、DTA等分析技术对BGO晶体生长系统的挥发物、样品非色芯和色芯区域及不同方向生长的色带、非色带样品做了对比分析工作.摸索出了利用SEM观察BGO晶体的腐蚀条件,观察到了缺陷样品微结构的差异;并利用计算机软件模拟样品XRD峰相对强度变化,揭示了色带缺陷样品XRD峰相对强度变化的物理意义是晶胞中富Ge度形成Bi空位;结合电子探针的点、面分析模式,确定了非色带区、色带区成份差异来自晶粒和晶界成份差异;利用DDTA分析了样品非色芯、色芯区域并讨论了分析曲线的差异.通过上述的分析测试方法的建立和选择,为色带、色芯形成的微观机理研究打下基础.综合多种分析测试结果和影响完整晶体生长的各种因素,认为BGO晶体色带缺陷产生的微观机理是系统Bi<,2>O<,3>的挥发使熔体偏离同成份配比点,造成界面组分过冷,形成了胞状界面,胞状组织溶质的分布很不均匀的,沟漕晶体溶质浓集而相应于胞中晶体溶质贫乏.BGO晶体生长速率的各向异性,使胞状组织形态不同.形成的该缺陷区域对光产生了不同的折射率,使该区域呈现与其他区域不同的颜色,当这种区域保持了一个稳定尺寸时,在晶体中形成色带.对于BGO晶体色芯,杂质的存在不是构成色芯缺陷的根本原因,也不是熔体局部浓度起伏的结果,是弯曲固液面形成的小面中晶体的不同生长机制造成的.弯曲的固液面上小面生长是BGO晶体色芯产生的微观机理.