ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料（约为3.37 eV），具有大激子束缚能（室温下为60 meV），可广泛应用于绿光、蓝-紫外光以及白光器件中，且易于得到高品质的单晶而引起广泛关注。ZnO共有三种晶体结构，其中室温下的稳定相为纤锌矿结构。天然和非故意掺杂的ZnO晶体存在六种本征点缺陷：氧空位(VO)、氧间隙（Oi）、反位氧（OZn）、锌空位（VZn）、锌间隙(Zni)以及反位锌(ZnO），通常认为由于氧空位与锌间隙的自补偿作用使得ZnO半导体呈现弱n性导电性，如何实现稳定的、可重复操作的ZnO晶体的p型掺杂，进一步得到高品质的pn结成为新的研究热点。Cu、Au、Pt等贵金属吸附在ZnO生长过程中主要起催化作用，对ZnO基底的性能、生长品质影响很大。本文采用基于密度泛函理论（DFT）的CASTEP程序包，着重研究了作为催化剂之一的Cu吸附对ZnO晶体生长品质的影响。　　本文在对ZnO的晶格常数进行优化的基础上，计算了纤锌矿结构ZnO六种本征点缺陷的态密度和电子结构。计算结果表明，在这六种缺陷中，氧空位、锌间隙、反位锌是以施主的形式存在，而反位氧、间隙氧和空位锌以受主形式存在。施主缺陷使得天然ZnO呈弱n型导电性。　　本文对Cu在弛豫再构后的ZnO（0001）极性表面的吸附进行了研究，计算了不同吸附位置和不同覆盖度下Cu的吸附能。计算结果表明Cu的最稳定吸附位置是H3位；且随着覆盖度的降低，Cu吸附能越小，说明Cu原子之间的相互作用随覆盖度降低而逐渐减弱。　　本文最后研究了Cu在ZnO（0001）极性面上吸附对形成Zn空位（VZn）缺陷的影响。计算结果表明，在有Cu吸附的前提下，VZn更倾向于在表层形成；且随着Cu覆盖度的增加，VZn缺陷的形成能总体呈上升趋势，说明在ZnO纳米材料的制备过程中使用催化剂之一的Cu，一定程度上能够抑制Zn空位缺陷的形成，有利于得到空位缺陷少、品质相对高的ZnO材料。