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超导微波器件的研究是超导电子学的一个重要方面.在该文中作者研究了三个问题:1.成功地制备了集成式高温超导微带谐振器稳频半导体FET振荡器,它是一种超导—半导体混合电路(Superconductor—semiconductor hybrid circuit).作者所用薄膜是用激光烧蚀法制备的,它的表面电阻在77K和10GHz的条件下为475μΩ.所用场效应管为NE72084 GaAsMESFET.在微带线的结构方面,作者采用两片10×15mm<2>超导薄膜构成整个电路.在其中一片上光刻出振荡电路的图形,另一片作为接地面,把这种微带结构用于集成式高温超导微带谐振器稳频半导体FET振荡器中,可以克服在采用共面波导结构或接地面为正常金属的微带线结构时,用于稳频的谐振器原无载品质因数Q<,O>较低的问题,进一步发挥高温超导薄膜低表面电阻的性质.同时研制了超导一半导体混合电路的混频器子系统.它以高温超导微带谐振器稳频半导体FET振荡器为该振信号,以超导Josephson结为混频元件,实现了在X波段的基波混频,信噪比可达30dB.说明作者的子系统的性能是良好的;2.研究了高温超导微带线的传输特性.作者用唯象损耗等效法,即PEM法(Phenomenological Loss Equivalent Method),分析了高温超导微带传输线的传输特性;3.研究了高温超导微带谐振器的品质因数Q<,O>与输入功率P<,in>的依赖关系.