【摘 要】
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该论文对采用下降法生长PWO晶体中存在的宏观缺陷和晶体掺杂效应进行了研究.晶体着色是PWO晶体两大类宏观缺陷之一.文中提出,在晶体生长过程中,控制晶体生长速度、提高固-液
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该论文对采用下降法生长PWO晶体中存在的宏观缺陷和晶体掺杂效应进行了研究.晶体着色是PWO晶体两大类宏观缺陷之一.文中提出,在晶体生长过程中,控制晶体生长速度、提高固-液界面温度梯度,兼辅以既能补Pb又能补O的掺杂剂可以解决晶体着色问题.光散射中心是存在于PWO晶体中的另一类宏观缺陷.文中提出 ,退火还不是从根本上解决问题的办法,通过控制原料粒度,采取有效的原料预处理工艺.特别要控制住晶体生长加速度,并辅以特定的掺杂剂可有效地消除这类宏观缺陷.Sb<,2>O<,3>掺杂可显著提高晶体350nm的透过率和晶体的光输出;晶体的发光为蓝光,发射谱显示双峰,而且沿晶体生长方向越来越明显.掺杂量与晶体光输入之间关系的统计结果表明,Y<,2>O<,3>掺要量为150ppm(at%)时可以获得较好的掺杂效应:显著提高了晶体350nm透过率和发光透光的均匀性;掺杂Y<,2>晶体仅存在蓝发光,发光峰位于425nm,光输出中的快成分比例高;对掺杂PbF<,2>晶体透射光谱、激发和发射光谱进行测试后发现:掺杂PbF<,2>可显著提高晶体350nm的透过率和发光强度.光输出测量结果表明,掺杂PbF<,2>晶体发光强,光输出高,但是慢成分所占比例大.O<,3>PbF<,2>掺杂对晶体具有良好的消色作用.
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