随着现代科技飞速发展以及电子设备普及程度不断提高,电磁波不仅与军事领域相关,而且与我们的日常生活也是息息相关。长期过量的电磁辐射不仅给人们的生活造成许多不便,电磁辐射也影响人们的健康,对人体免疫系统造成损害,对人类健康造成威胁。聚吡咯（PPy）具有质量轻和导电率高的特点,而且,制备较为简便,是研究最广泛的导电聚合物之一。经氧化和掺杂的聚吡咯属于导电高分子材料,其利用电场的相互作用将电磁能转化为热能等其他形式的能量而消耗电磁波。论文通过三步法制备了具有核壳结构的Al₂O₃@PPy@r GO复合材料。通过FTIR,XRD,SEM,TEM,Raman,TGA等对Al₂O₃@PPy@r GO复合材料结构、形貌和性能进行了表征。通过矢量网络法测定了Al₂O₃@PPy@r GO复合材料的复介电常数,分析计算吸波性能。实验结果表明当厚度为3.0 mm,Al₂O₃@PPy@r GO复合材料在Al₂O₃@PPy@r GO-蜡基复合材料中的含量为15%时,Al₂O₃@PPy@r GO复合材料有最大反射损耗为-39.7d B。在10.5-16.0 GHz频率范围内,有效微波吸收带宽可以达到5.5 GHz。同时分析了Al₂O₃@PPy@r GO复合材料的吸波机理。采用St?ber方法合成了Ni@SiO₂纳米球,通过原位聚合制备了Ni@SiO₂@PPy复合材料。通过FTIR,XRD,SEM,TEM等对Ni@SiO₂@PPy复合材料进行表征,证明其结构形貌。通过矢量网络法测定了复介电常数和复磁导率,计算了介电损耗和磁损耗,并进一步分析计算了吸波性能。研究结果表明当Ni@SiO₂@PPy复合材料在Ni@SiO₂@PPy-蜡基复合材料中的含量为15%,厚度为2.5mm时,Ni@SiO₂@PPy复合材料在10.6-14.9GHz范围有4.3GHz有效吸收带宽,且在频率为12.6GHz处有最大反射损耗为-23.9d B。这可以归因于复介电常数和复磁导率之间的良好的协同。分析了Ni@SiO₂@PPy复合材料的吸波机理,为该领域的研究提供理论指导。基于聚吡咯构建的Al₂O₃@PPy@r GO复合材料和Ni@SiO₂@PPy复合材料具有优异的微波吸收性能,未来具有广阔的发展前景。