在这篇论文中，作者利用玻色化和重整化群分析方法，研究了半满填充下的弱耦合一维扩展赫伯德模型的基态相图。这个模型的特点是在原赫伯德模型中添加一项近邻排斥相互作用(V)，它的大小与在位排斥相互作用(U)相比拟但小于跃迁动能(t)。这种引入不是平庸的，将会与跃迁项和在位项互相竞争，从而影响系统的低能激发。通过综合考虑哈密顿中各项的贡献，我们发现在U，V很小时，自旋-电荷耦合项(gcs)当作无关算符可以忽略，基态相图由自旋密度波(SDW)和电荷密度波(CDW)组成。但随着U，V的逐渐增加，自旋-电荷耦合项发挥着重要的作用。在U=2V线附近出现了键荷密度波相(BCDW)，它位于自旋密度波和电荷密度波之间的狭小区域内，且终止于一个三相点。这些结果表明，在弱耦合情形下，基态相图由三部分组成：(1)U>2V，SDW关联态，(2)U<2V，CDW关联态，(3)U≈2V，BCDW关联态。为了澄清相变机制，我们也研讨了相变的性质。发现弱耦合下是二极相变，强耦合下是一级相变。