微电子工业的迅速发展,芯片集成度的迅速增加,导致其发热率的提高,使电子元器件的散热量大大增加,因此对封装材料的热性能提出了更高的要求,即需要与芯片材料的膨胀系数匹配且具有较高导热系数的封装材料。金属基复合材料因其独特的性能成为新的研究热点。　　 负热膨胀(Negative thermal expansion,简称NTE)材料是材料科学中近年来新兴的学科分支,钨酸锆(ZrW2O8)因具有各向同性,负热膨胀温度范围宽等特点成为负热膨胀材料的一个研究重点,其最主要用途是作为复合材料的一个组元来调节复合材料的热膨胀系数。目前关于铜基钨酸锆复合材料的研究取得了一些进展,但在制备过程中存在ZrW2O8分解、相变以及复合材料致密度不高等问题,本文从提高复合材料性能的角度出发,设计低熔点铜合金,利用球磨制得的合金粉体与ZrW2O8粉体复合,冷压烧结制备复合材料。据此,进行了如下研究:　　 (1)根据铜合金二元相图,以Cu-Zn,Cu-Mn作为基体,在此基础上添加合适的元素,熔炼后利用DSC差热分析测定合金熔点,依据摆锤实验确定合金的添加量,实验表明,Cu-31Zn-5Mn-4Sn与Cu-35Mn-15Zn熔化温度区间分别在804.1℃-850℃与828.5℃-849.7℃之间,达到预先设计的要求,同时,合金不具有脆性倾向。　　 (2)复合材料基体粉体与增强颗粒的制备:①对铜合金车加工,并对合金碎屑进行球磨制备合金粉体,用X射线衍射仪(XRD)对粉体进行物相分析,以扫描电子显微镜(SEM)对粉体的形貌进行表征；②以ZrO2和WO3为原料,采用分步固相法制备粒径介于0.5-1μm、平均线膨胀系数为-5.08×10-6K-1的高纯ZrW2O8粉体。　　 (3)将合金粉体与ZrW2O8充分混合,采用粉末冶金法制备复合材料。在600MPa压力下压制,双向加压获得复合材料坯体,在适当的温度下烧结,分析温度对复合材料物相的影响,以扫描电镜(SEM)对复合材料的表面和断面进行观察,同时,测试不同体积分数下复合材料的致密度,热膨胀系数以及维氏硬度。结果表明Cu-31Zn-SMn-4Sn／ZrW2O8复合材料在600℃下有ZnO生成,Cu-35Mn-15Zn／ZrW2O8未发现氧化物。随着ZrW2O8含量的增加,复合材料的密度,致密度,热膨胀系数以及硬度降低。