层展现象普遍存在于强关联电子体系中,是很多功能材料研究的重点,比如多铁性、高温超导、金属-绝缘体转变等。这些是由于电子关联性约束了给定晶格位置处的电子数量,并引起电荷,自旋和轨道自由度的局部纠缠引起的。所以研究功能材料的电子结构有助于我们去理解材料的新奇物性。而这其中,电荷密度是电子最直接的表现。透射电子显微镜由于其超高的空间分辨率,成为了材料研究材料物性机理的非常重要的手段。其中,会聚束电子衍射指的是电子束以一定的会聚角照射在样品上,那么在物镜后焦面处不再是衍射点,而扩展为有强度信息分布的圆盘,所以衍射盘可以提供很多衍射点没有的信息。由于高能电子与材料中的原子相互作用时,对材料的价电子信息非常敏感,所以会聚束电子衍射是很适合于电荷密度分布的研究.这对于揭示材料物性、提高材料性能和设计新材料具有重要的指导意义。本文主要研究的是利用定量会聚束电子衍射方法来精确地测定单晶Si的低阶结构因子。主要内容如下:首先介绍了电子衍射和X射线衍射测量材料的结构因子的异同,通过理论分析可知,价电子主要影响的是低阶结构因子,而电子衍射对低阶结构因子比X射线衍射更加敏感,所以电子衍射测定低阶结构因子明显优于X射线衍射。然后主要介绍了电子射线衍射的多束动力学理论计算,并且通过实验得到Si(2-20)的一维会聚束电子衍射图,通过与理论计算值进行精修,得到了Si的(2-20)结构因子。最后分析了实验结果不够精确的原因,是CCD畸变导致光斑不圆,以及样品太厚增加了多重弹性散射引起的。