【摘 要】
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自2001年发现MgB_2的超导电性以来,关于MgB_2的界面组织和电学性能已经有了多重形式的研究。然而,作为一种在具有广阔应用前景的材料,MgB_2在高场下的临界电流密度还远远不够。所以目前研究的重点是如何提高MgB_2的晶间连接性和增加更多的钉扎中心来提高在高场下的临界电流密度。本研究主要采用掺杂Cu和Al来提高MgB_2的晶间连接性和磁通钉扎性能。Cu掺杂的机制是Cu与Mg反应生成稳定的化合
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自2001年发现MgB_2的超导电性以来,关于MgB_2的界面组织和电学性能已经有了多重形式的研究。然而,作为一种在具有广阔应用前景的材料,MgB_2在高场下的临界电流密度还远远不够。所以目前研究的重点是如何提高MgB_2的晶间连接性和增加更多的钉扎中心来提高在高场下的临界电流密度。本研究主要采用掺杂Cu和Al来提高MgB_2的晶间连接性和磁通钉扎性能。Cu掺杂的机制是Cu与Mg反应生成稳定的化合物MgCu_2,填充了MgB_2的晶间空隙来改善MgB_2的组织形态,同时可作为一种有效的钉扎中
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