【摘 要】
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太阳能光催化技术的应用成为解决全球环境与资源问题的重要途径,而寻找高效稳定的光催化剂已经成为一项重要的课题。本文选取了n型半导体Zn O、O-C3N4和p型半导体Fe2TiO5,通
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太阳能光催化技术的应用成为解决全球环境与资源问题的重要途径,而寻找高效稳定的光催化剂已经成为一项重要的课题。本文选取了n型半导体Zn O、O-C3N4和p型半导体Fe2TiO5,通过和Ag@Ag Cl复合分别制备了Zn O/Ag@Ag Cl、O-C3N4/Ag@Ag Cl和Fe2TiO5/Ag@Ag Cl复合材料,通过对罗丹明B染料的降解实验测试了材料的可见光光催化性能,结果显示降解速度依次是Zn O/Ag@Ag Cl>O-C3N4/Ag@Ag Cl>Fe2TiO5/Ag@Ag Cl,进一步分析其可能原因是:Zn O和O-C3N4同为n型半导体,O-C3N4的导带电位比Zn O更负,相比之下,Ag@Ag Cl的电子更容易传递到与之导带电位差较大的Zn O上,因而Zn O/Ag@Ag Cl复合材料内部的光生电子-空穴分离效率更高,材料表现出更好的光催化性能。Fe2TiO5是一种p型半导体,导带电位与Zn O十分接近,但Fe2TiO5与Ag@Ag Cl复合之后,二者界面处形成内建电场,阻止了光生载流子的扩散,因而其光催化性能相对较差。对比结果说明对于相同的导带电位的不同类型的半导体材料与Ag@Ag Cl复合之后,n型半导体比p型半导体更容易接收光生电子,促进光生电子-空穴的分离,从而具有较好的光催化及光电化学性能。
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