半导体白光LED光源因其节能、环保、使用寿命长、体积小、反应速度快、耐冲击等诸多优点,被视作人类新一代的光源。本论文从光转换型白光LED发展存在的两个难题——红光区域显色性能不足和多相荧光材料组分之间重吸收出发,通过对适用于455-465 nm蓝光LED芯片和395-405 nm,355-365 nm近紫外光LED芯片的荧光材料进行了研究,具体开展了以下工作:（1） 455-465 nm蓝光芯片激发的YAG:Ce³⁺, Eu³⁺荧光粉利用水热辅助燃烧的合成方法,通过在黄光荧光粉YAG:Ce³⁺中共掺Eu³⁺提高了其红光区域的发射强度,既可避免添加另一相红光材料而造成的重吸收现象,又提高了红光区域的显色性能。结果表明,水热辅助燃烧合成法可以大大降低传统高温固相法所需的反应温度。YAG:Ce³⁺, Eu³⁺荧光粉封装的白光LED弥补了YAG:Ce³⁺荧光粉封装的白光LED在红光区域发射强度不足的缺陷,大幅提高了商业白光LED的显色性能。YAG:Ce³⁺, Eu³⁺荧光粉封装的白光LED在20 mA电流激发下发射出色品坐标（0.3201, 0.3561）,色温为4910K,显色指数82的优质白光,器件的流明效率可达78.71 lm/W。（2） 455-465 nm蓝光芯片激发的CdS:Cu²⁺/ZnS量子点将掺杂量子点作为光转换材料应用于白光LED,以解决多相荧光材料混合后的重吸收问题。通过一锅法合成了发射红光的CdS:Cu²⁺量子点。结果表明,通过控制体系反应的温度从195℃到235℃变化,可以控制CdS:Cu²⁺量子点发射波长从630 nm到710 nm变化。不同掺杂Cu²⁺浓度对CdS:Cu的发射波长影响不大,但可决定CdS:Cu²⁺量子点中CdS本征发射峰与Cu²⁺掺杂发射峰的比例。通过在CdS:Cu²⁺表面包覆ZnS壳层,可以将CdS:Cu²⁺量子效率从18%³0%提高到40%⁵0%,同时提高其光化学稳定性和热稳定性。利用CdS:Cu²⁺/ZnS量子点、YAG:Ce³⁺荧光粉与蓝光LED芯片制成的白光LED,在120 mA驱动电流条件下,可发射出色品坐标为（0.3449, 0.3282）,显色指数86的优质白光,器件的流明效率可达37.43 lm/W。（3） 395-405 nm近紫外芯片激发的CaIn₂O₄:Eu³⁺荧光粉首次合成了物理化学性能更稳定的,能被近紫外光有效激发的新型红光荧光粉CaIn₂O₄:Eu³⁺。通过共掺碱金属离子M+（M=Li,Na,K）,利用M+ + Eu³⁺→2Ca²⁺方式弥补Eu³⁺替位Ca²⁺造成的电荷不平衡,可以大幅提高CaIn₂O₄:Eu³⁺荧光粉的发射强度。通过掺杂Sm³⁺,利用Sm³⁺→Eu³⁺的能量传递,可以拓宽CaIn₂O₄:Eu³⁺荧光粉近紫外区域的激发光谱,并提高CaIn₂O₄:Eu³⁺荧光粉400-405 nm波段的近紫外光的激发强度。（4） 355-365 nm近紫外芯片激发的单一相LiCa₃MgV₃O₍12_:Eu³⁺和SrZn₂（PO₄）₂: Eu²⁺, Mn²⁺白光荧光粉针对近紫外光激发三基色荧光粉材料之间重吸收的问题,研发了近紫外光激发的单一相白光荧光粉体系LiCa₃MgV₃O₍12_:Eu³⁺和SrZn₂（PO₄）₂: Eu²⁺, Mn²⁺。通过高温固相法合成LiCa₃MgV₃O₍12_:Eu³⁺,利用[VO4]3-和Eu³⁺分别对应的发射谱带复合形成白光,通过调节Eu³⁺掺杂浓度,可获得显色性能87,色品坐标（0.33, 0.34）的白光。通过燃烧法合成SrZn₂（PO₄）2:Eu²⁺, Mn²⁺,相比高温固相法合成的样品有更小的颗粒尺寸和更高的发射强度,利用Eu²⁺和Mn²⁺分别对应的发射谱带复合形成白光,通过调节Eu²⁺和Mn²⁺掺杂浓度比例,可获得显色指数为85,色品坐标为（0.35, 0.36）的白光。