一维钙钛矿型CH₃NH₃PbI₃纳米材料具有大的比表面积、各向异性的几何特性、量子尺寸效应等优点,在光电器件领域具有潜在的应用价值,如太阳能电池、发光二极管、光电探测器等领域。然而,CH₃NH₃PbI₃纳米线的尺寸、组分的调控尚存在挑战,光电性能与纳米线尺寸、组分之间的关系尚不清晰,因此,采用简单的方法实现一维钙钛矿型CH₃NH₃PbI₃纳米材料的可控制备并研究其光电性能与纳米线尺寸、组分之间的关系是非常必要的。（1）本文采用两步旋涂工艺制备出纯相、单晶钙钛矿型CH₃NH₃PbI₃纳米线。研究了不同N,N-二甲基吡咯烷酮、甲胺碘、碘化铅浓度对CH₃NH₃PbI₃纳米线形貌、物相的影响,实现了纳米线尺寸和密度的可控制备。还研究了纯相CH₃NH₃PbI₃纳米线的光学性能和荧光性能,并进一步研究了不同碘化铅浓度下制备的CH₃NH₃PbI₃纳米线的光电性能与尺寸之间的关系,结果表明,光电流随CH₃NH₃PbI₃纳米线长度的增大而增大。（2）在制备CH₃NH₃PbI₃纳米线的基础上,采用两步旋涂工艺制备出组分可控的溴元素掺杂CH₃NH₃Pb(I_1-xBr_x)₃纳米线,研究了溴元素掺杂含量对CH₃NH₃Pb(I_1-xBr_x)₃纳米线形貌、物相、光学性能及光电性的影响。结果表明,随着溴元素掺杂含量的增加,CH₃NH₃Pb(I_1-xBr_x)₃纳米线的颜色由黑色逐渐变为黄色,CH₃NH₃Pb(I_1-xBr_x)₃纳米线的禁带宽度增加。溴元素的掺杂可提高基于CH₃NH₃Pb(I_1-xBr_x)₃纳米线光电探测器的稳定性,当溴元素在纳米线中的含量为x=0.25时,制备的CH₃NH₃Pb(I_1-xBr_x)₃纳米线的光电性能最稳定。