MBE局域生长SiGe/Si异质结材料性质研究与SiGe/Si探测器阵列研制

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该文的研究工作由以下两部分内容组成:一、研究了使用分子束外延(MBE)方法,在微米量级窗口中局域外延生长的Si<,0.8>Ge<,0.2>/Si异质结材料的应变和失配位错的性质.二、研制了2×22面元与2×32面元的二元3~5μmSi<,1-x>Ge<,x>/Si异质结内光电发射红外探测器焦平面阵列.单元探测器的黑体探测率可达10<10>cmHz<1/2>/W,响应率可达7×10<4>V/W,阵列的响应率均匀性≤±5﹪.因此这种探测器适宜于制作大规模的红外探测器焦平面阵列.
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