近几十年来,随着通信技术和隐身技术的快速发展,对微波吸收材料提出了更高的要求。为了满足这些要求,科研人员已经研究并取得了大量的成果,如金属氧化物、碳基材料和碳化硅基材料。特别是SiC纳米线材料由于其热稳定性、化学稳定性以及良好的环境适应性而受到了科研人员的广泛关注,并成为最有前途的材料之一。目前对SiC纳米线微波吸收性能的研究尚处于初始阶段,研究主要集中SiC纳米线的不同合成方法上,缺少对不同形貌SiC纳米线微波吸收性能的系统研究。本研究通过选用价格低廉的原料和容易操作的方法,先以竹浆纸为原料热蒸发硅粉制备出直径在100～200 nm范围内截面呈六方棱柱状结构的SiC纳米线,该纳米线表面较为粗糙。再以竹浆纸为原料热蒸发硅粉和二氧化硅混合物制备出沿长度方向呈竹节状的SiC纳米线,该纳米线少量呈弯曲或分叉结构,直径范围在150～300 nm,长度达数十微米。最后,通过将竹浆纸炭化,再热蒸发硅粉与二氧化硅的混合物,制备出直径波动状SiC纳米线,纳米线的平均直径在150～500纳米之间,长度大部分在2～10μm范围,直径沿长度方向周期性波动。通过相关表征发现,制备的不同形貌的SiC纳米线中都含有大量的堆垛层错,结合其微观形貌以及物相组成,分析了制备的不同形貌SiC纳米线生长机理。利用矢量网络分析仪测试其与石蜡混合试样的电磁参数,根据传输线理论计算出试样在X波段的反射损耗值并表征其微波吸收性能。其中,棱柱状SiC纳米线在介电试样厚度为4.00 mm时,最小反射损耗为-22.92 d B;试样厚度为3.71 mm时,有效吸收带宽可覆盖整个X波段。竹节状SiC纳米线在介电试样厚度为2.35 mm时,最小反射损耗为-46.62 d B;介电试样厚度为2.50 mm时,有效吸收带宽最宽为3.4 GHz。直径波动状SiC纳米线在介电试样厚度为3.25mm时,最小反射损耗值为-52.41 d B;介电试样厚度为2.80 mm时,试样的有效吸收带宽为3.6 GHz。以竹炭为碳源,惰性气氛条件下碳热还原二氧化硅,制备了念珠状碳化硅SiC/Si O2纳米线。采用扫描电子显微镜、X射线衍射与X射线光电子能谱对念珠状SiC/Si O2纳米线的微观形貌、物相组成和化学组成进行了表征。结果表明,SiC纳米线表面光滑,直径约为150～200 nm;1～2μm的珠状突起主要成分为Si O2,并包覆在SiC纳米线上。在X波段测试了试样的复介电常数,并以传输线理论计算出样品在不同厚度的反射损耗。当厚度为1.80 mm时,试样的有效吸收带宽为2.32GHz,最小反射损耗达到-43.58 dB。