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新型半导体薄膜材料的光学特性已经持续多年是新功能材料等研究领域的热点课题。半导体的非线性光学和发光性质在光电通信领域,例如全光开关、光学限幅器、光耦合器等方面有着良好的潜在应用价值。本文所研究的新型半导体材料氮化铟薄膜在光电子和微电子器件上有着广阔的应用前景,被认为是高效率低成本太阳能电池、光学掩膜及多种传感器的优选材料,所以氮化铟薄膜非线性光学和发光特性研究十分重要。Z扫描技术作为一种高灵敏度、实验装置简单的测量手段,被广泛应用于研究半导体材料的非线性光学特性。本文首先简述了材料介质中