场发射阴极材料的研究吸引了众多研究者的眼光。对于现在的场发射阴极,大多文献报道的是单纯的碳纳米管薄膜与金刚石薄膜。碳纳米管已经被证实具有良好的场发射特性,而金刚石超微粉也具有负电亲和势低的特点。因此,考虑到上面的因素,对于金刚石超微粉与碳纳米管的合成材料的场发射性质具有一定的研究意义。在合成材料的制备过程中,考虑到金刚石超微粉在一些有机溶液中因为其表面会吸附上一些带电的离子,所以会带上微弱的电压。因此能通过电泳的办法使得金刚石超微粉在阴极得到沉积,这对碳纳米管与金刚石超微粉合成材料的制备有着重要的意义。实验中采用电泳的办法,将金刚石超微粉沉积到阴极基片上,从而制备出合成材料,此种办法与通过PECVD方法实现基片上碳纳米管与金刚石超微粉的合成材料的生长相比,更加经济,简单与实用,并且更加容易控制。最后测试了样品的场发射特性,并比较分析了其与单独的金刚石超微粉淀积层,金刚石薄膜与碳纳米管薄膜的场发射性能。主要工作如下:1.通过采用电泳的办法,在阴极沉积金刚石超微粉颗粒,在硅片上得到金刚石超微粉的淀积层。并对在不同电泳时间(5min和15min)得到的样品的进行了场发射特性的测试。2.用MPCVD在Mo片上进行生长金刚石薄膜的实验,并参考相应的实验参数在1得到的样品基础上生长出金刚石薄膜,并测试了该薄膜的场发射特性。3.通过涂覆的办法制备得到碳纳米管薄膜,并测试了其场发射特性。4.以3得到的样品为阴极,仍然采用电泳的办法将沉积到碳纳米管薄膜上,成功得到了碳纳米管与金刚石超微粉的合成材料,并测试了其场发射特性。与前面几种样品相比,其场发射特性的开启电压得到了一定程度的降低。与碳纳米管薄膜相比,其场发射电流也较为增大。