近些年来，阻变式随机存储器被认为是下一代非挥发性存储器，从而引起了人们的广泛关注。阻变式随机存储器因其结构简单，转变速度快，低功耗，密度高,低成本等方面的特点备受关注。NiO薄膜是一种P型半导体材料，广泛应用于各种不同的领域，包括电致变色，传感器，光电探测器，染料太阳能电池等多个领域。同时，NiO是阻变式随机存储器研究材料中最重要的一种，它已经成为了人们研究的热点。在本论文中，我们利用脉冲激光沉积技术制备了NiO:Li薄膜，并研究了不同衬底温度及氧气分压对薄膜的影响，并以此为依据，构造了Pt/NiO:Li/Pt三层结构的阻变式随机存储器。其研究内容如下：通过调节衬底温度和氧气分压成功制备了NiO:Li薄膜；制备得到的存储器件开关电压分别为2.4V和1.4V，开关电阻分别为200K和15K，开关转变速度分别为200ns和1μs；其导电机制主要是SCLC导电类型，其电阻转变机制符合导电通道模型。