随着现代超大规模集成电路(VLSI)的不断发展,互连线对时序的影响也越来越大。在SoC(片上系统)设计中,对性能和功耗的要求也在不断的增加。随着半导体器件尺寸的不断缩小,一些工艺过程也发生了相应的改变,例如光刻,CMP(化学机械研磨)等。在CMP过程中,金属密度的不均匀导致金属厚度的起伏,产生碟形,磨损。在进行多金属层芯片的制造过程中,密度不均匀导致的不平坦化对第一、第二金属层的影响并不显著,但由于不平坦化效应的叠加,在越来越高的金属层,就可能出现短路、断路等不希望出现的结果,从而影响整个电路的运行。因此需要进行冗余金属填充来调节金属的密度,使其达到一致,以此来改善金属表面的平坦性,但另一方面,冗余金属的填充会增加互连电容,互连电阻,信号延迟以及功耗的增加等一系列问题。研究冗余金属填充的目的就是为了降低这些寄生参数,使其对电路的性能影响最小,在实现平坦化的同时使电路的性能不受较大影响,从而可以进行多层金属的制造,这样可以大幅降低生产的成本,极大的提高芯片厂的成品率和经济效益。本文关注的是冗余金属对互连线之间耦合电容的影响,重点研究起主要作用的是冗余金属的形状,面积,摆放位置,还是其与互连线的对应边长。本文从对互连线影响和改善平坦化方面对冗余金属进行研究,提出一系列的填充策略,降低冗余金属带来的耦合电容的增加,以达到平整度和电性能的最优化。