药物成瘾的基础环路是中脑皮质边缘多巴胺系统,其中伏隔核(NAc)处于这个环路的核心位置。NAc的神经元传入有,来自前额叶(PFC)、海马、杏仁核的谷氨酸能传入,来自腹侧被盖区(VTA)的多巴胺能传入,这些投射都汇聚到单独的NAc中型棘突神经元(MSN)上。NAc同时接受多巴胺系统和谷氨酸系统的作用,这两个系统之间联系紧密并且有直接的结构连接与功能联系。多巴胺系统和谷氨酸系统间的相互作用已有很多的报道,如:多巴胺(DA)可以调节纹状体NMDA受体(NMDAR)和AMPA受体(AMPAR)的装载;多巴胺I型受体(D1R)和NMDAR的NR1亚基形成的复合物,调节D1R依赖的NMDAR电流增强和含D1R的MSN突触的长时程增强(LTP)形成;多巴胺II型受体(D2R)与含NR2B亚基的NMDAR直接作用(D2R-NR2B)与可卡因引起的突触后DA输入增强相关。这些证据表明,两个系统间的相互作用影响着受体功能的调节、突触的传导以及神经可塑性,但是否影响神经元的兴奋性还未见报道。本研究使用离体脑片进行全细胞膜片钳记录,采用灌流给药的方法,观察NMDAR和DAR各亚基对NAc壳区(NAcShell)MSN内在兴奋性以及放电适应的影响,进一步观察D2R与含NR2B亚基的NMDAR以及D1R与含NR2A亚基的NMDAR之间的相互作用,对NAcShell MSNs内在兴奋性和放电适应的影响,得到了以下结果:1.NMDAR激活引起NAcShellMSNs内在兴奋性升高,放电适应增强非选择性激活NMDAR,MSNs的基强度显著降低,MSNs在较低的阶跃电流范围(100～250pA)内放电个数显著增加,MSNs在较高的阶跃电流范围(250～400pA)内放电持续时间显著缩短;特异性激活含NR2A亚基的NMDAR后,MSNs的基强度没有改变,MSNs在较低的阶跃电流范围内放电个数没有改变,MSNs在较高的阶跃电流范围内放电持续时间显著缩短;特异性激活含NR2B亚基的NMDAR后,MSNs的基强度没有改变,MSNs在较低的阶跃电流范围内放电个数显著增加,MSNs在较高的阶跃电流范围内放电持续时间没有改变。结果表明,NMDAR激活会使得NAcShell MSNs的内在兴奋性升高,放电适应增强;特异性激活含NR2A亚基的NMDAR会使得MSNs放电适应的增强,对内在兴奋性没有影响;特异性激活含NR2B亚基的NMDAR会使得MSNs内在兴奋性升高,不影响其放电适应。2.DA抑制NMDAR激活诱导的NAcShell MSNs内在兴奋性升高在非特异性激活DAR的基础上激活NMDAR,与对照水平相比较,MSNs放电基强度没有改变,MSNs在较低的阶跃电流范围内放电个数没有变化,MSNs在较高的阶跃电流范围内放电持续时间显著缩短;结果表明,D1R和D2R同时激活抑制了 NMDAR激活所引起的MSNs内在兴奋性升高。3.DAR与NMDAR间的相互作用对NAcShell MSNs内在兴奋和放电适应的影响在特异性激活D2R的基础上选择性激活含NR2B亚基的NMDAR,与对照水平相比较,MSNs的基强度没有改变,MSNs在较低的阶跃电流范围内放电个数没有变化,MSNs在较高的阶跃电流范围内放电持续时间缩短。在特异性激活D1R的基础上选择性激活含NR2A亚基的NMDAR,与对照水平相比较,MSNs的基强度没有改变,MSNs在较低的阶跃电流范围内放电个数没有变化,MSNs在较高的阶跃电流范围内放电持续时间显著缩短。综合前两部分的结果表明,选择性激活D2R抑制了含NR2B亚基的NMDAR激活所引起的MSNs内在兴奋性升高;选择性激活D1R对含NR2A亚基的NMDAR激活所引起的MSNs放电适应增强无影响。综上所述,得到以下结论:NMDAR激活使得NAcShell MSNs的内在兴奋性升高,放电适应增强。其中,内在兴奋性的升高是通过含NR2B亚基的NMDAR来实现的,放电适应的增强是通过含NR2A亚基的NMDAR实现的。DAR激活抑制NMDAR激活所引起的NAcShell MSNs内在兴奋性升高,是通过D2R与NR2B间的相互作用来实现的。