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本论文计算方法采用基于密度泛函理论的第一性原理投影缀加平面波法,论文中我们主要计算研究了二维SnO_2纳米面及锡烯的电子性质和能带结构。首先,我们计算了3d过渡金属原子(Cr,Mn,Fe,Ni)掺杂二维SnO_2纳米面的电子性质、能带结构以及光学性质。实验结果表明二维SnO_2纳米面结构属于无磁直接带隙半导体材料,带隙大小为2.75eV。研究发现Cr,Mn,Fe原子掺杂SnO_2NSs会分别引入2Bm,-3Bm,2Bm的磁矩,而Ni原子掺杂SnO_2NSs后结构依旧保持无磁特性。在光学性质方面,掺杂