铅卤钙钛矿材料具有优秀的光电性质,包括大的光吸收系数和光发射效率、高的光增益系数、长的载流子扩散距离和寿命、优秀的缺陷容忍度,且可以通过简单的制备工艺获取高质量的、低缺陷密度的薄膜材料,因此在太阳能电池、发光二极管、激光、光探测器等光电子领域发展迅速,目前铅卤钙钛矿太阳能电池的光电转化效率已经超过25%,发光二极管的外量子效率也已超过20%。但是由于铅卤钙钛矿的稳定性容易受外界环境影响,包括水、氧、光照、高温等因素都会导致铅卤钙钛矿薄膜发生失效甚至降解现象,因此铅卤钙钛矿的光伏器件和发光器件的工作稳定性尚待进一步提高。目前针对铅卤钙钛矿的光辐照不稳定性现象及机理的研究尚少,包括光修复效应、光解效应、光致相变效应、光致相分离效应在内的四种光辐照效应的机理解释都未能达到统一的共识。因此,理解铅卤钙钛矿的光辐照现象并解释其背后的机理,对铅卤钙钛矿的材料改性和器件应用都具有重要的理论指导价值。本论文以铅卤钙钛矿为研究对象,目的是通过观察在不同激发密度下的铅卤钙钛矿的光辐照效应,考察铅卤钙钛矿的光致发光强度以及荧光寿命与光照时间的联系,并进一步理解其背后的机理。本论文的内容主要包括:1、通过氯仿辅助溶液法制备CH₃NH₃PbBr₃有机-无机杂化铅卤钙钛矿薄膜,利用系统的光致发光光谱表征铅卤钙钛矿的光致发光强度以及荧光寿命在0.3-4.5 W/cm²范围内不同激发密度下的变化趋势,发现在低激发密度下,CH₃NH₃PbBr₃薄膜先后出现光致发光增强效应（PLIE）和光致发光减弱效应（PLID）;在中激发密度下,薄膜中只出现PLIE效应;而在高激发密度下,薄膜中只出现PLID效应。根据CH₃NH₃PbBr₃薄膜在不同激发密度下的光辐照效应,我们提出光照引起的光致发光增强效应（PLIE）和光致发光减弱效应（PLID）存在竞争关系,二者的竞争结果是由不同激发密度引起的长寿命缺陷Br_i⁰的产生和迁移所控制的。2、通过PVP辅助溶液法制备CsPbBr₃和掺杂25 mol%Li⁺的CsPbBr₃:Li机铅卤钙钛矿薄膜,利用系统的光致发光光谱表征铅卤钙钛矿的光致发光强度与荧光寿命在不同激发密度下的变化趋势,我们发现CsPbBr₃和CsPbBr₃:Li薄膜在低激发密度下都保持很好的光稳定性,PL强度没有发生变化;随着激发密度提高,薄膜中都只出现PLID效应,没有发现PLIE效应,但是CsPbBr₃:Li薄膜的PL强度下降速度更慢。我们提出CsPbBr₃无机铅卤钙钛矿薄膜中由光照引起的光解效应是由于光驱动的溴离子的迁移和铅离子的还原所导致的,高浓度的Li⁺的掺杂能够抑制薄膜内部的溴离子的迁移,进而提高CsPbBr₃薄膜的光辐照稳定性。