全无机卤化物钙钛矿由于荧光量子产率高、荧光发射峰窄、发射波长可覆盖整个可见光区等优异光学性质,成为光电功能材料领域热点材料之一。掺杂是调控纳米晶光电性质的重要办法。以二维卤化物钙钛矿为宿主材料进行掺杂,由于二维钙钛矿较强的激子结合能以及较弱的电磁屏蔽作用将有助于增强宿主-杂质间相互作用,从而展示出与掺杂三维钙钛矿不同的光电性质。鉴于掺杂卤化物钙钛矿大多采用三维纳米晶宿主的研究现状,本论文将致力于二维卤化物钙钛矿的掺杂研究,主要工作如下:首先,利用合成后掺杂办法制备了二维掺杂钙钛矿纳米片。以预先制备的CsPbBr3纳米片为宿主材料,将MnCl2溶液加入纳米片中进行合成后掺杂。实验结果表明合成后掺杂过程既包括快速的Cl与Br卤素离子交换过程又包含慢速的MnCl2与CsPbBr3的分子交换过程。前者造成钙钛矿本征荧光峰大幅度蓝移,后者赋予纳米片新的Mn杂质荧光峰。结构分析表明合成后掺杂过程不会严重改变纳米片的晶格结构但会造成纳米片晶格的收缩。相比于尺寸超过波尔半径的三维钙钛矿纳米立方体,二维钙钛矿纳米片较薄的厚度极大加速了 MnCl2分子向晶体内部的扩散过程,从而使MnCl2与CsPbBr3的分子交换过程从70小时（三维掺杂体系）缩短到10分钟（二维掺杂体系）。其次,研究了两种不同的杂质投料过程对纳米晶光学性质的影响。第一种是采用固定浓度MnCl2的N,N二甲基甲酰胺溶液加入纳米片溶液中,通过改变加入体积获得不同投料比。随着投料比的增加,Mn杂质发射峰与钙钛矿本征发射峰的相对强度逐渐增强,纳米片色度从蓝色光区过渡到黄色光区。当Mn:Pb投料比在3-5之间时,纳米片色度处于暖白光区域。第二种方法是向纳米片溶液中注入相同体积但不同浓度MnCl2溶液。当投料比为4时纳米片发出暖白色荧光。虽然上述两种方法都可以用于调控纳米片色度,但二者对钙钛矿本征荧光峰位影响不同。两种掺杂方法都表明本征峰蓝移现象具有MnCl2溶液浓度依赖性,说明快速的Cl与Br卤素离子交换过程是决定本征荧光峰位的主要原因。