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本论文主要涉及几种胶体金属砷、磷化物纳米晶的制备和性质研究，建立了制备几种典型II-V族和III-V族半导体纳米簇的方法，并以其为反应前体实现了金属砷、磷化物纳米晶的可控制备，并对制备材料的光学、电学性质进行了表征。1.将由砷、磷化物与无机酸反应生成的H3As、H3P气体作为反应物，制备了砷化镉和磷化镉的纳米簇。深入研究了该制备体系的反应机制，了解了纳米簇制备的必要条件。并在低温条件下，对砷化镉和磷化镉的纳米簇进行了ZnS壳材料的包覆，提高了材料的荧光效率和稳定性。2.以砷化镉纳米簇作为反应前体，成功制备了尺寸和形貌可控的Cd3As2纳米粒子。深入的研究了该体系纳米晶的生长过程，揭示了热力学调控纳米晶尺寸这一规律。设计构筑以Cd3As2纳米粒子为吸光材料的量子点太阳能薄膜电池器件，其光电转化效率达到3.75%，表明Cd3As2纳米晶可以作为光吸收材料应用于光伏器件领域。3.以纳米簇作为反应前体，设计制备了尺寸可调的磷化镉和III-V族的InP、InAs纳米粒子，制备的Cd3P2、InP、InAs量子点尺寸可控并具有宽泛的光谱可调范围，并对InP、InAs量子点进行了无机壳材料的惰性包覆，既提高了材料的发光效率又提高了稳定性。为金属砷、磷化物纳米晶的制备提供了一种具有普适性的新方法。4.以新制的H3P气体为磷源，用于气、液两相的胶体法合成。成功的制备了MoP和Ni2P不同尺寸的纳米粒子，并将制备的MoP和Ni2P制备成工作电极，用于电催化制氢的测试，测试效果十分显著.以H3As气体为砷源，设计合成了多元金属砷化物半导体纳米材料Cu3CdSnAs3，探究了该体系中粒子的生长过程和生长方式。将制备的金属砷化物多元半导体材料Cu3CdSnAs3作为吸光材料，构筑成量子点薄膜太阳能电池器件，实验结果表明，以3:1:1组分的材料构筑的器件光电转换效率可达到3.38%，该多元材料可以成为光伏器件结构中有潜力的光吸收材料。