【摘 要】
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ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料，在常温下禁带宽度为3.37ev，具有纤锌矿结构。ZnO价格低廉并具有良好的光学性能及化学性能，其在多功能半导体材料领域中有着广泛的应用。以Zn
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ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料，在常温下禁带宽度为3.37ev，具有纤锌矿结构。ZnO价格低廉并具有良好的光学性能及化学性能，其在多功能半导体材料领域中有着广泛的应用。以ZnO作为太阳能电池材料在成本上具有很大的优势，但受其吸收系数低的影响，薄膜ZnO太阳能电池转换效率很低，研究如何提高薄膜ZnO太阳能电池的转换效率具有重大的意义。本文运用AMPS-1D软件对新型的n-ZnO/i-ZnO/p-Si结构的异质结薄膜太阳能电池进行了模拟，探讨了H、N补偿掺杂i-ZnO层的掺杂浓度变化、厚度变化以及界面态的引入对太阳能电池的开路电压Voc、短路电流Jsc、填充因子FF以及转换效率Eff的影响,并对其机理进行了分析。模拟结果表明，H、N掺杂浓度的变化会对太阳能电池的能带结构以及复合率产生影响，而界面态的存在会大幅降低太阳能电池的效率，在理想情况下模拟得到的太阳能电池的最高转换效率为15.5%。
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